9月16日消息，据韩国媒体《中央日报》（Korea JoongAng Daily ）引述韩国半导体产业协会于15日发布的报告指出，中韩两国在存储芯片领域的技术差距已缩小，HBM差距约3年、DRAM差距2年，而NAND Flash差距仅1年。这一差距此前曾被评估为超过五年，如今已缩小至事实上的“一代”左右。
“中国在存储芯片技术上的追赶速度超出了常规预期，”汉阳大学ERICA校区中国研究与机器人学教授白瑞仁（Baek Seo-in）表示。“它实际上将两到三年的进展压缩到了一年之内。政府支持、庞大的国内市场和强大的研发生态系统共同作用，正在迅速加速技术发展。”
报道指出，在NAND Flash领域，三星电子和SK海力士于2025年开始生产300层NAND Flash，当时中国NAND Flash厂商长江存储（YMTC）已经开始生产270层NAND Flash，预期到2027年将转向400层NAND，届时与三星电子和SK海力士的差距将缩小至约1年。
在DRAM领域，三星电子与SK海力士于2023年开始生产DDR5，中国DRAM芯片厂商长鑫存储直到2025年才开始生产DDR5模组，双方去年技术差距约2年。今年，长鑫存储已大量生产LPDDR5X，近期LPDDR6也已经开始量产，并被手机大厂小米公司率先采用；在高带宽内存方面，长鑫存储目前与三星电子和SK海力士的技术落差约3年，长鑫存储刚开始试产，但目前良率仅约25%，并持续面临硅通孔（TSV）良率等挑战。
长鑫存储拟采用长江存储XStacking 3D NAND技术，在其G4 DRAM制程（相当于1z节点）上进行DRAM堆叠。与完全依赖传统微凸块（micro-bumps）连接堆叠DRAM芯粒不同，这项制程将采用长江存储的铜对铜混合键合（ copper-to-copper hybrid bonding）技术，借此将晶圆之间的铜互连直接接合，缩短堆叠DRAM层之间的电路路径。更重要的是，这种架构让长鑫存储与长江存储无需依赖EUV设备，也能制造具竞争力的产品。
传闻长鑫存储正在与包括阿里巴巴旗下平头哥半导体（T-Head）在内的多家本土无晶圆厂芯片公司合作测试最新的高带宽内存产品，并计划最早于明年推出。
长江存储也在积极扩大NAND Flash产能，等到其两座新晶圆厂于2027年投产后，总产能预计将在2028年提升至每月45万至50万片晶圆；相比之下，三星NAND Flash产能预计在2027年底达到每月35万片晶圆。
从业绩来看，长江存储母公司——长存控股2025年营收631.85亿元、净利142.11亿元；2026年一季度营收470.42亿元、净利333.79亿元，单季利润已是2025年全年的约2.35倍。
长鑫存储母公司——长鑫科技2026年上半年营收同比增长873.6%，达到1503.1亿元人民币，净利润达高达776亿元，而去年同期净亏损23.3亿元。长鑫存储第二季度的营业利润率达到82%，超过了SK海力士的76%和三星电子半导体部门的70%。
根据市场研究机构Counterpoint Research的数据，长鑫存储在第二季度占据了全球DRAM市场10%的份额，是去年同期4%份额的两倍多。这使其排名第四，仅落后于三星电子（38%）、SK海力士（25%）和美光（24%）。长江存储第二季度在NAND Flash市场的份额为14%，高于去年同期的9%，与铠侠并列第四，仅落后于三星电子（28%）、SK海力士（19%）和美光（15%）。
嘉泉大学半导体学部硕座教授金容硕表示：“面对美国先进芯片和设备出口限制，中国企业正通过自主技术开发等技术进行反击。面对同时掌握国内市场和现金实力的中国厂商追赶，韩国半导体业界也必须重整战线。”
编辑：芯智讯-浪客剑
