TetraMem发布22纳米RRAM模拟存内计算SoC

品玩5月27日讯，据 techpowerup 报道，硅谷半导体企业TetraMem近日宣布，其基于22纳米多级阻变存储器（RRAM）的模拟存内计算（IMC）系统级芯片（SoC）平台MLX200，已成功完成流片、制造及初步硅片验证。

随着AI算力需求增长，数据传输带来的功耗与延迟成为主要瓶颈。MLX200平台创新性地将多级RRAM阵列与混合信号计算引擎集成，直接在存储阵列内执行高吞吐量向量矩阵运算，大幅提升了系统级能效。该芯片基于台积电22纳米工艺制造，具备低电压运行、高耐久性及出色的多比特存储能力，早期测试显示其阵列功能具备高度一致性。

TetraMem联合创始人兼首席执行官Glenn Ge博士表示，这一里程碑验证了将多级RRAM与模拟存内计算转化为先进节点商用硅片的可行性，为下一代AI系统的能效提升提供了切实路径。评估样品预计将于2026年下半年开始提供。