印度国防研究与发展组织（DRDO）日前宣布成功研发并落地国产化氮化镓（GaN）半导体技术，可应用于新一代雷达、电子战系统等高频国防设备，此举是印度推进高端半导体国产化建设的重要举措。
该技术被纳入印度国防部2025-2026年度官方报告，涵盖高频信号生成、放大、接收与调控等核心元器件，广泛适配雷达、电子对抗、军事通信、情报侦察、无人作战系统等各类国防装备场景。
适配X波段的国产氮化镓核心技术印度自研的3.5×3毫米氮化镓芯片，最大功率可达30瓦，运行速度是传统硅基芯片的300倍。此次技术突破包含适配X波段的国产化氮化镓单片微波集成电路（MMIC）全套技术。
同时，印度已自主完成S波段氮化镓高电子迁移率晶体管功率棒、功率放大器、低噪声放大器、开关型单片微波集成电路的设计、制造与性能验证工作。
氮化镓是适配高频、大功率场景的优质半导体材料，应用于雷达发射机与电子战设备后，可实现元器件小型化，同时稳定承载高频信号与大功率载荷，大幅提升装备集成度与作战性能。
固态物理实验室夯实氮化镓、碳化硅技术根基本次技术突破依托DRDO下属固态物理实验室（SSPL）的前期研发成果。2024年11月，印度国防部曾官宣，该实验室已掌握4英寸碳化硅（SiC）晶圆国产化制造工艺，可量产最高150瓦的氮化镓高电子迁移率晶体管、最高40瓦的X波段单片微波集成电路。
国防部表示，氮化镓、碳化硅半导体技术能够显著提升设备能效，缩减元器件体积与重量，优化装备综合性能，是未来作战系统、雷达、电子战、军事通信、侦察无人装备的核心支撑技术。
印度海德拉巴砷化镓赋能技术中心（GAETEC）已建成国产碳化硅基氮化镓单片微波集成电路小规模产线，该多功能芯片可应用于战略装备、航空航天、5G及卫星通信等关键领域。
国防创新计划吸纳民营企业入局研发该技术研发依托印度“国防卓越创新（iDEX）”计划推进。2023年12月1日，印度国防创新组织与阿格尼特半导体公司签署第300份合作合约，联合研发适配雷达、电子战干扰设备的新一代国防无线发射机高端氮化镓半导体器件。
印度国防部坦言，此前高端氮化镓核心器件高度依赖进口，该技术属于前沿敏感领域，多国均实施技术封锁与出口管制。本次合作项目旨在实现氮化镓器件全流程国产化设计、研发与量产，打破外部技术垄断。
该签约仪式于新德里举行，印度前国防工业生产副秘书、国防创新组织首席执行官、前国防秘书及多名军政高层出席见证。
国产化氮化镓、碳化硅基单片微波集成电路技术落地，搭配专属小规模产线与民营企业协同研发模式，将全面强化印度国防及战略领域半导体自主供给能力。
