9月21日消息，在美国特朗普政府动用关税等一系列手段力推半导体制造回流美国的背景下，路透社援引知情人士爆料称，韩国存储芯片巨头SK 海力士（SK Hynix）旗下Solidigm正评估赴美国建NAND Flash晶圆厂，目前考虑以纽约州北部为主要潜力基地。
报道指出，Solidigm 这项计划与SK海力士洽谈利用英特尔俄亥俄厂生产存储芯片的计划分开进行，目前尚未拍板。若美国新厂最终成案，可降低Solidigm对中国大连唯一NAND Flash生产基地的依赖，也有助分散美中关税障碍、美国限制芯片设备输往中国等风险。
不过，美国制造成本明显高于韩国，也让SK海力士面临两难抉择。美国商务部长卢特尼克（Howard Lutnick）再三警告，韩国芯片业者若不扩张美国产能，不排除加征100%关税；韩国总统李在明则表示，政府尊重企业自主的决策，但期望以国家利益为优先，并坦言韩国晶片业赴美设厂“仍具争议”。
报导指出，相较HBM与DRAM，NAND的战略敏感度较低，因此Solidigm赴美设厂面临的政治阻力可能较小。 SK海力士对此回应，目前一切都还在评估中，尚无任何具体决定。
2020年，SK海力士以90亿美元收购英特尔的NAND与SSD事业，后续成立Solidigm。不过，NAND Flash市况长期低迷，Solidigm多年来饱受亏损困扰。赴美扩产虽有助SK海力士缩小与三星的市占差距，并抗衡中国同业竞争，但晶圆厂从动工到投产须耗时数年，届时存储需求能否维持强劲，仍有极大变数。
编辑：芯智讯-林子
