磷化铟（InP）行业正处于半导体材料领域十余年来最剧变的结构性拐点。Coherent今年产能翻倍，明年再翻倍！
黄仁勋指出，包括英伟达最近一系列的投资也表明，在算力暴涨的后半场，限制集群规模的不再仅仅是计算密度，而是互联的物理带宽与能效比。 随着英伟达（NVIDIA）Blackwell 及更先进的 Rubin 架构将算力节点推向“机柜即芯片”的极限，传统的硅基电信号传输已触及热损耗与传输距离的物理墙。
磷化铟（Indium Phosphide, InP），作为光电子领域不可替代的“贵金属半导体”，正处于从边缘走向舞台中心的暴风眼。它不仅是实现 800G、1.6T 以及未来 3.2T 高速光模块中核心发光芯片（DFB、EML）的唯一成熟衬底材料，更是硅光集成（SiPh）与薄膜铌酸锂（TFLN）方案中无法绕过的“发光引擎”。
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