美国存储半导体公司美光科技已开始扩建其位于日本广岛工厂的下一代人工智能（AI）存储器生产线。随着AI服务器对高带宽内存（HBM）的需求激增，此举被解读为美光正在认真追赶由SK海力士和三星电子主导的HBM市场。
据《日本经济新闻》报道，美光科技在日本广岛县东广岛市的工厂举行了新生产大楼的奠基仪式。该项目总投资额达1.5万亿日元（约合14万亿韩元），日本经济产业省也决定提供最高达5360亿日元的配套资金，搭上日本半导体复兴政策的顺风车。
广岛工厂是美光科技在2013年收购破产的日本DRAM制造商尔必达存储器时获得的生产基地，目前是美光DRAM和HBM的生产基地之一。新的生产大楼正在考虑用于生产人工智能计算的下一代DRAM工艺以及HBM4E等先进产品。
美光高级副总裁马尼什·巴蒂亚表示：“我们正在考虑采用最先进的1γ（Gamma）DRAM工艺进行生产。”下一代1δ（Delta）DRAM和下一代HBM产品HBM4E也包含在生产目标中。HBM4系列是下一代产品，其数据通道比HBM3E更宽，使AI半导体能够更快地处理更多数据。
《日本经济新闻》报道称：“我们计划从 2028 年下半年开始将生产设备引入新工厂，并逐步扩大生产规模。”
此次扩建是美光公司为应对全球内存供应短缺而采取的产能扩张战略的一部分。美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉亲自出席了奠基仪式，并强调：“内存需求正以前所未有的速度增长。”
美光最新的扩张预计将对HBM市场格局产生中长期竞争压力，该市场目前由SK海力士主导，三星电子和美光紧随其后。随着美光着手确保面向HBM4E之后几代产品的生产基地，预计2028年后这三家存储器公司在下一代HBM市场的竞争将更加激烈。
日本政府对“半导体供应链重建”寄予厚望。尽管日本在半导体材料和设备领域仍保持竞争力，但在成品制造方面已失去昔日地位。因此，日本政府正大力支持台积电将工厂迁至熊本，并大力扶持Rapidus的下一代2nm工艺。随着美光对先进DRAM和HBM的投资，分析人士认为，供应链重建正在取得切实成果。
经济产业大臣赤泽亮生表示：“由于生成式人工智能的发展，对存储器的需求正在不断增长。”他补充道：“我国在国内生产存储器并为世界做出贡献意义重大。”广岛县也期望这项投资能够加强当地的供应链，并创造超过1000个就业岗位。
*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。
