台积电三年来或首度上调成熟制程晶圆代工报价；三星电子拟新建DRAM工厂；印度开启半导体2.0计划 | 新闻速递

据韩媒报道，三星电子计划在其位于韩国京畿道器兴的园区内新建一座DRAM晶圆厂，规划月产能达10万片晶圆，项目总投资规模将达数十万亿韩元。

这地块原本规划用于建设研发中心，此番调整为生产设施，市场普遍解读为三星电子为应对AI基础设施投资热潮下持续攀升的存储芯片需求所做出的产能布局调整。报道称，该项目最快可能于2026年第三季度正式动工。受此消息影响，三星电子股价上涨7%。

器兴园区在三星电子的半导体发展史上具有标志性意义。该园区自1983年投入运营，是韩国运营时间最长的半导体生产基地之一，也是三星电子半导体业务的起点。1992年，三星正是在这里开发出全球首款64Mb DRAM芯片，从而奠定了其在全球存储芯片市场的领先地位。

据印度媒体报道，印度信息部长阿什维尼 · 瓦希诺表示，印度政府已批准1.275万亿卢比（现约合904.4亿元人民币）的新增资金，用于“印度半导体计划2.0”。

这项新投资是在印度2021年推出的印度半导体计划1.0（ISM 1.0，规模为7600亿卢比，现约合539.09亿元人民币）的基础上进行的全面升级。

新计划的核心目标包括：深化芯片设计生态、扶持设备与材料制造、吸引晶圆厂落地、强化先进封装与测试、推动前沿制程研发，以及聚焦人才培养。

此外，印度政府还批准了一项用于手机制造、总额达6250亿卢比（现约合443.33亿元人民币）的专项资金拨备。

据消息人士爆料，KBCM投行的一份研究报告显示，英特尔最初计划将Nova Lake处理器的计算芯粒外包给台积电生产，并采用N2制程工艺。

按照原计划，约60%-70%的Nova Lake计算芯粒将由台积电制造，其余部分则由英特尔晶圆厂采用18A工艺生产。

不过最新供应链消息显示，英特尔已将大部分Nova Lake计算芯粒的生产工作转回自家晶圆厂，预计约80%-90%的计算芯粒将由英特尔工厂制造。

据悉，本次调整主要得益于18A制程良率有所提升。目前该制程的良率已经达到足够可靠的水平，同时英特尔对晶圆废弃率等表现感到满意。