【科学家开发出芯片堆叠新工艺 将高带宽存储器集成密度翻两番】财联社7月14日电，韩国工业技术研究所和浦项科技大学科学家开发出一项新工艺，能稳定堆叠10余片超薄半导体芯片，由此实现了约4倍于商用高带宽存储器（HBM）的集成密度。这一突破有望缓解人工智能（AI）面临的存储瓶颈。相关论文发表于新一期《工程成果》杂志。
科学家开发出芯片堆叠新工艺 将高带宽存储器集成密度翻两番
更新时间 2026-07-14来源 科创板日报正文 155字阅读约 1分钟
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